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IC晶片的溫濕度貯存試驗

時間:2023-06-27 14:08:47 作者:環儀小編 點擊:

根據《GB/T 4937.42-2023 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分:溫濕度貯存》標準的要求,IC晶片需要進行溫濕度貯存試驗。溫濕度貯存試驗又分為濕熱試驗和不飽和高壓蒸煮試驗。試驗過程中,用到哪些設備?下面我們來看看。


一、濕熱試驗:

1. 試驗設備:交變濕熱試驗箱
2. 試驗要求
a. 40℃、90%RH,持續8000h的存儲試驗。
b. 60℃、90%RH,持續4000h的存儲試驗。
c. 85℃、85%RH,持續1000h的存儲試驗。

IC晶片的溫濕度貯存試驗(圖1)


二、不飽和高壓蒸煮試驗:

1. 試驗設備:HAST不飽蒸汽壽命試驗機
2. 試驗要求
a. 110℃、85%RH,持續264h的存儲試驗。
b. 120℃、85%RH,持續168h的存儲試驗。
c. 130℃、85%RH,持續96h的存儲試驗。

IC晶片的溫濕度貯存試驗(圖2)

試驗完成且確保試驗箱內的溫濕度恢復到接近規定的溫濕度曲線時,將器件從試驗箱中取出,并放置在室溫下。器件應在室溫環境下保持2h后開始進行電性能測試,直至測試完畢。


在不飽和高壓蒸煮試驗下,試驗完成后處理器件時應小心謹慎,因為可能會發生不同于其他試驗導致的失效模式,此類失效模式是由于冷凝、溫度和壓力突變和其他相關因素造成的。


標簽: 溫濕度試驗

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